CAPACIDAD: 2 TBFORMATO: M.2 2280RENDIMIENTO DE LECTURA SECUENCIAL: 3200MB/SRENDIMIENTO DE ESCRITURA SECUENCIAL: 3000MB/SLECTURA ALEATORIA: 5000004KB IOPSESCRITURA ALEATORIA: 4500004KB IOPSCONEXIÓN: PCIE GEN3 X4 NVME V1.3GARANTÍA LIMITADA DE 3 AÑOSRESISTENCIA (TBW)DIMENSIONES (LARGO, ANCHO Y ALTO): 3.16 X 0.87 X 0.09PESO: 8.5GMSNÚMERO DE MODELO_ WDS200T3G0CTEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO: 0°C TO 70°CNON-OPERATING TEMPERATURE: -40°C TO 85°CCERTIFICACIONES: BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, MAGHREB, RCM, UKCA, VCCI, CB-SCHEME, TUV, UL
