ESPECIFICACIONESCAPACIDAD1 TBINTERFAZPCIE ×4 DE 4TA. GEN., NVME 1.4MEMORIA NAND FLASH3D TLCTAMAÑOM.2 2280-S2RENDIMIENTOLECTURA SECUENCIAL (MÁXIMA, MB/S), 128 KB7300MB/SESCRITURA SECUENCIAL (MÁXIMA, MB/S), 128 KB6.000LECTURA ALEATORIA (MÁX, IOPS), 4 KB QD32 T8800000IOPSESCRITURA ALEATORIA (MÁXIMA, IOPS), 4 KB QD32 T81.000.000DURABILIDAD/FIABILIDADTOTAL DE BYTES ESCRITOS (TB)1.275TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (MTBF, HORAS)1800000 HRSERVICIOS DE RECUPERACIÓN DE DATOS 3 RESCUE (AÑOS)3GARANTÍA, LIMITADA (AÑOS)5ADMINISTRACIÓN DE ENERGÍACONSUMO DE ENERGÍA EN FUNCIONAMIENTO, PROMEDIO (W)6.3 WCONSUMO DE ENERGÍA EN REPOSO PS3, PROMEDIO (MW)20 WBAJO CONSUMO DE CORRIENTE MODO L1.2 (MW)<5AMBIENTALTEMPERATURA INTERNA EN FUNCIONAMIENTO (°C)0 °C 70 °CTEMPERATURA, NO EN FUNCIONAMIENTO (°C)-40 °C 85 °CTOLERANCIA A GOLPES, NO EN FUNCIONAMIENTO: 0,5 MS (G)1500 GCARACTERÍSTICAS ESPECIALESTRIMSÍS.M.A.R.T.}SÍSIN HALÓGENOSÍCUMPLIMIENTO CON ROHSSÍDATOS FÍSICOSPROFUNDIDAD (MM/PULG., MÁX.)80.15 MM/3.156 PULG.ANCHO (MM/PULG., MÁX.)22.15 MM/0.866 PULG.ALTURA (MM/PULG., MÁX.)2.23 MM/0.088 PULG.PESO (G/LB)8.1 G/0.017 LB
